RS8I-M-Halbzellserien wird mit MBB-Zellen vom Typ N-Typ/Topcon produziert, wodurch der interne Leistungsverlust des Moduls reduziert wird, um die Umwandlungseffizienz zu verbessern, sowie das durch Risse verursachte Fehlerrisiko und die gebrochene Busbank zu verringern Modulzuverlässigkeit. In Kombination mit der Halbzellentechnologie ist das Modul sehr resistent gegen Hot-Spotcrisise, die durch Schatteneffekt verursacht werden.